P—N結是怎樣形成的

       

開始時，有人把P型材料和N型材料用機械的方法結合在一起，結果都不成功。這說明，PN結升不是將P型半導體與N型半導體簡單地連接在一起就可以了，而是要通過各種不同的工藝，使半導體的一部分呈N型，另一部分呈P型。常用的形成卜N結的方法主要有合金法、擴散法、離子注入法和薄膜生長法，其中擴散法是目前硅太陽能光伏電池的P-N結形成的主要方法。
如圖2—5所示，這是一塊P型和一塊N型半導體獨立存在時的情況。此時，P型與N型  半導體是各自單獨存在的，并沒有形成P—N結。從圖中可以看出，它們單獨存在時，在P型  半導休中，成為載流千的牢穴具有正電荷，--而所生成的陰離子在電量上與它們相等。同理，在N型半導體中也由于電子與陽離子的電量相等而呈中性。
如圖2—6所示，當P型與N型兩種半導體結合在——起時，由于交界面處存在載流子濃度的差異，這樣電廣和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。P型區(qū)的空穴向N型區(qū)擴散，而N型區(qū)的電子向P型區(qū)擴散。

出自：松下蓄電池